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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:There has been much consideration given to more attractive laser materials being epitaxially grown on silicon. Numerous III-V compound semiconductors on silicon have been researched, particularly GaAs and InP是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
There has been much consideration given to more attractive laser materials being epitaxially grown on silicon. Numerous III-V compound semiconductors on silicon have been researched, particularly GaAs and InP
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
null
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
有很多的考虑要更具吸引力的激光材料的外延生长在硅片上。 众多的第三至第五的复合半导体硅片上进行了研究,特别是GaAs和InP
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
有考虑被给予在硅外延地生长的更加有吸引力的laser材料。 众多的III-V Ⅰ - Ⅴ族化合物半导体在硅被研究了,特殊GaAs和InP
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
一直到更具吸引力的激光材料外延生长硅多考虑。研究了众多 III-V 化合物半导体硅上的,特别是砷化镓和磷化铟
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
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