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2013-05-23 12:21
求翻译：Germanium is also a good candidate with the first germanium-on-silicon laser demonstrated by Liu et al. (2010). Finally, the hybrid approach to integrating lasers with silicon (Heck et al. 2013) involves bonding a variety of materials to silicon-on-insulator (SOI) substrates, as opposed to epitaxial growth of a laser m是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Germanium is also a good candidate with the first germanium-on-silicon laser demonstrated by Liu et al. (2010). Finally, the hybrid approach to integrating lasers with silicon (Heck et al. 2013) involves bonding a variety of materials to silicon-on-insulator (SOI) substrates, as opposed to epitaxial growth of a laser m
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
null
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2013-05-23 12:23:18
锗也是不错的候选第一锗芯片上的激光表现刘et al (2010年)。 最后,混合的办法将激光器与硅(啥米et al 2013年)涉及到粘接多种材料以硅绝缘体(SOI)承印物上,而不是外延增长的激光介质硅片上的。
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2013-05-23 12:24:58
锗也是一名好候选人用刘等展示的第一个锗在硅laser。 (2010年). 终于，对集成的lasers的杂种方法与硅 (哎呀等。 2013年) 在硅介入结合各种各样的材料 (与) 硅在绝缘体SOI基体，与一个laser媒介的外延生长相对。
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2013-05-23 12:26:38
锗也是好的候选人，有证明由刘等人 (2010 年) 第一次上硅锗激光。最后，结合硅 (见鬼等 2013年) 激光器的混合方法涉及粘接各种材料到绝缘体上硅 (SOI) 基底上，而不是激光介质对硅外延生长。
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2013-05-23 12:28:18
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