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关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Two-terminal, gate-dependent measurements made on individual boron-doped and phosphorus-doped SiNWs show that these materials behave as p-type and n-type是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Two-terminal, gate-dependent measurements made on individual boron-doped and phosphorus-doped SiNWs show that these materials behave as p-type and n-type
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
null
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2013-05-23 12:23:18
两个终端、门取决于对个人进行的测量硼非掺和磷-doped sinws显示,这些材料行为,因为P型、N型
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2013-05-23 12:24:58
二终端，在个体做的门依赖测量硼掺杂了并且磷掺杂了这些材料表现作为p类型和n类型的SiNWs展示
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2013-05-23 12:26:38
个人的两个码头、 门相关测量含硼和磷掺杂 SiNWs 显示这些材料的行为作为 p 型及 n 型
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2013-05-23 12:28:18
双端，个别掺硼和掺磷SiNWs门依赖测量表明，这些材料的行为作为p型和n型
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