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2013-05-23 12:21
求翻译：[[0034] An electrostatic discharge (ESD) protection device comprises a well region formed from semiconductor material with a first doping type, a floating base formed from semiconductor material with a second doping type, the floating base disposed vertically above the well region, a first terminal receiving region for是什么意思？ 待解决
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[[0034] An electrostatic discharge (ESD) protection device comprises a well region formed from semiconductor material with a first doping type, a floating base formed from semiconductor material with a second doping type, the floating base disposed vertically above the well region, a first terminal receiving region for
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
[0034]静电放电（ESD）保护装置，包括从第一个兴奋剂类型的半导体材料，半导体材料组成的浮动基地，第二次药检类型，垂直井地区出售的浮动基地，形成一个良好地区第一终端接收地区形成了从半导体材料与第三兴奋剂类型，第一个终端接收垂直处置上述浮动基地的区域;和第二个终端接收地区形成了以第三掺杂型半导体材料，在第二个终端接收区域横向间距从第一硅沟槽隔离（STI）的地区，形成一个双极结型变送器（BJT）的终端接收地区。
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2013-05-23 12:23:18
[[0034]*
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2013-05-23 12:24:58
((0034) 一套静电释放(ESD)保护装置包括从半导体材料形成的一个好的区域与第一个掺杂的类型，从半导体材料形成的一个浮动基地与第二个掺杂的类型，垂直上面好的区域被配置的浮动基地，从半导体材料形成的第一个终端接受区域与第三个掺杂的类型，垂直上面浮动基地被配置的第一个终端接受区域; 并且第二个终端接受区域从半导体材料形成了与第三个掺杂的类型，第二个终端接受区域侧向地被间隔除第一个终端接受区域之外由硅沟槽隔离(STI)区域形成一台双极连接点发射机(BJT)。
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2013-05-23 12:26:38
[[0034] 静电放电 (ESD) 保护装置包括井区形成了从半导体材料的第一次的兴奋剂类型、 浮动基地，形成了从半导体材料与第二个兴奋剂类型、 处置垂直井区上方的浮动基地、 形成的半导体材料与第三掺杂类型的第一个终端接收区域、 垂直处置的浮动基地 ； 上面的第一个终端接收区域和第二航站的接收区域，形成了从半导体材料的第三个使用兴奋剂类型，第二个终端接收区域横向间距除了由硅沟槽隔离 (STI) 区域形成双极型发射器 (BJT) 的第一个终端接收区域。
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2013-05-23 12:28:18
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