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2013-05-23 12:21
求翻译：[0033] Those skilled in the art will recognize from the foregoing that the ESD protection devices 10, 30-34 are compatible with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and FinFET process flows. The vertical ESD protection devices 10, 30-34 also provide more robust protection relative to known lateral BJT ESD de是什么意思？ 待解决
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[0033] Those skilled in the art will recognize from the foregoing that the ESD protection devices 10, 30-34 are compatible with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and FinFET process flows. The vertical ESD protection devices 10, 30-34 also provide more robust protection relative to known lateral BJT ESD de
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
[0033]那些在艺术技能的人将认识到，从上述的ESD保护器件10，30-34兼容与互补金属氧化物半导体（CMOS）和FinFET器件的过程中流动。垂直的ESD保护装置10，30-34，也称为横向BJT ESD设备提供更强大的保护。此外，垂直放电的ESD保护器件10，30-34比在FinFET的过程中横向放电更有效率。此外，可以降低触发或“开启”电压ESD事件期间由于短基线长度24相对其他已知的ESD保护器件。最后，ESD保护器件，10，30-34有一个适应的控股电压和更好的散热更深层次的ESD放电路径。
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2013-05-23 12:23:18
*[0033]这些技术在艺术将承认从上述的ESD保护装置,10、30-34是符合互补金属氧化物半导体(CMOS)和流动finfet进程。 纵向ESD保护装置的10、30-34还提供更强大相对已知横向BJT ESD保护装置。 此外,在发现的垂直排放的ESD保护装置10、30-34是较有效率的横向排放在一个finfet进程。
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2013-05-23 12:24:58
(0033) 那些技术熟练者从前面将认为ESD保护装置10， 30-34是与补全金属氧化物半导体(CMOS)和FinFET流程兼容。 垂直的ESD保护装置10， 30-34也提供更加健壮的保护相对知道的侧向BJT ESD设备。 另外，在ESD保护装置发现的垂直的放电10， 30-34比侧向放电高效率在FinFET过程中。 而且，能降低触发器或“打开”电压在ESD事件期间由于短的基线长24相对其他知道的ESD保护装置。 终于， ESD保护装置10， 30-34有能适应的藏品电压和一个更深的ESD放电道路为更好的热量散逸。
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2013-05-23 12:26:38
[0033] 那些熟练的艺术将从上述情况的 ESD 保护设备 10，30-34 兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和为性能过程流识别。垂直 ESD 保护设备 10，30-34 还提供更强大的保护，相对于已知外侧 BJT 公共服务电子化设备。此外，在 ESD 保护装置 10，发现垂直排泄 30 34 是比为性能过程中的横向放电效率更高。此外，，可以降低触发器或"启用"电压在公共服务电子化事，因为相对于其他已知的 ESD 保护设备短底长度 24。最后，ESD 保护装置 10，30-34，具有适应性强控股电压和更深层次的 ESD 放电路径，以更好地散热。
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2013-05-23 12:28:18
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