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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:In the CC region, dominant low-frequency pole is at the gate of because its impedance is the highest in the loop—high-output resistor of transconductance amplifier Its frequency response has therefore a single pole drop-off and yields a phase-margin of 90 , as shown in Fig. 3(a), where the circuit was simulated using v是什么意思?

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In the CC region, dominant low-frequency pole is at the gate of because its impedance is the highest in the loop—high-output resistor of transconductance amplifier Its frequency response has therefore a single pole drop-off and yields a phase-margin of 90 , as shown in Fig. 3(a), where the circuit was simulated using v
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
在CC区域,占主导地位的极低频是因为它的阻抗是最高的跨导放大器在高输出回路电阻,因此,其频率响应有单杆落客,并产生相缘的门90,图所示。 3(一),电路模拟使用的各种分立元件供应商提供的子电路模型。 CV循环,门已不再是优势,因为它的阻抗,其输出电阻低分流的低频极点。这个循环为主导极点的内部极点,如图所示。第3(c)。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
在“抄送”区域,具有支配地位低频率极是因为其阻抗在门的最高的是环路的高输出电阻器的跨导放大器的频率响应,因此一个单极的产生阶段的利润为90,如中所示图。 3(a)款的规定下,在电路模拟使用供应商提供的各种分立组件模型支电路。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
在CC地区,统治低频率杆在门因此,因为它的阻抗是最高在的跨电导放大器圈高产品电阻器它的频率响应有唯一杆下车并且产生阶段边际90,如所显示。 3 (a),电路被模仿了使用的地方为各种各样的分立元件供营商提供了subcircuit模型。 为CV圈,门不再是统治低频率杆,因为它的阻抗现在转轨,出端电阻是低的。 统治杆为这个圈是’ s内部杆,如所显示。 3 (c)。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
在抄送区域中,占主导地位的低频率极是在门口因为其阻抗是在循环中的最高水平 — — 高输出电阻跨导放大器的它的频率响应因此已落单极客和图 3 (a),在所示的收益率相裕度的 90,凡电路模拟使用供应商提供的子电路模型的离散的各种组件。对于 CV 循环,大门不再是占主导地位的低频率极,因为其阻抗现在分流,其输出电阻是低的。为此循环优势极的内部极,如图 3 (c) 中所示。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
在 CC 地区,主要的低频柱子在门因为其阻抗是在跨导电性放大器的圈高产品的抵抗者中的最高一个其频率的答复因此有单个的柱子下降和屈服 90 的阶段边缘,如无花果所示。3(a),其中电路为各种离散的成分使用供应商提供的子电路模型被模拟。对 CV 圈,门不再是主要的低频柱子因为其阻抗现在被逃避所作,其输出抵抗是低的。对于这个圈的主要的柱子是是内部柱子,如无花果所示。3(c).
 
 
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