求翻译：The end result of hot carrier injection into the gate oxide is a degradation of transistor parameters such as saturation是什么意思？

待解决

悬赏分：1 - 离问题结束还有

The end result of hot carrier injection into the gate oxide is a degradation of transistor parameters such as saturation

问题补充：

匿名	2013-05-23 12:21:38 热载流子注入到栅氧化层的最终结果是一个退化晶体管参数如饱和

匿名	2013-05-23 12:23:18 最终的结果的热载体注入栅极氧化层是一个退化的晶体管参数,如饱和

匿名	2013-05-23 12:24:58 热的载流子注入最终结果到门氧化物里是晶体管参量的退化例如饱和

匿名	2013-05-23 12:26:38 正在翻译，请等待...

匿名	2013-05-23 12:28:18 进到门氧化物的热的承运人注射剂的最终结果是晶体管参数的下降例如饱和

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