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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:Application of ALD Al2O3 as gate dielectric has been widely studied and reported in CMOS [11] and GaN high electron mobility transistor (HEMT) [12].是什么意思?

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Application of ALD Al2O3 as gate dielectric has been widely studied and reported in CMOS [11] and GaN high electron mobility transistor (HEMT) [12].
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
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  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
申请的限期活动Al-2O3如门绝缘已广泛研究和报告在CMOS[11]和干高电子(HEMT)[12]。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
ALD氧化铝的应用当门电介质在CMOS [11]和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) [12]广泛被学习了并且报告了。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
作为栅介质中的醛固酮 Al2O3 应用进行了广泛研究,在 CMOS [11] 和甘高电子迁移率晶体管 (器件) [12] 报告。
 
 
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