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2013-05-23 12:21
求翻译：The strained transitional layer reduces the amount of workpiece bow due to differential coefficient of thermal expansion (CTE) contraction of the relaxed buffer layer relative to CTE contraction of the substrate, thus allowing the workpiece to have relaxed semiconductor buffer structures.是什么意思？ 待解决
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The strained transitional layer reduces the amount of workpiece bow due to differential coefficient of thermal expansion (CTE) contraction of the relaxed buffer layer relative to CTE contraction of the substrate, thus allowing the workpiece to have relaxed semiconductor buffer structures.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
应变过渡层降低工件翘曲量因松弛缓冲层相对于衬底的热膨胀系数的收缩的热膨胀系数（CTE）的收缩差系数，从而使工件具有松弛的半导体缓冲结构。
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2013-05-23 12:23:18
紧张的过渡层数减少相当数量制件弓由于有差别的热膨胀系数基体的轻松的缓冲层数相对CTE收缩的(CTE)收缩，因而允许制件放松了半导体缓冲结构。
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2013-05-23 12:24:58
被劳损的过渡层数减少相当数量制件弓由于有差别的热膨胀系数基体的 () 轻松的缓冲层数相对CTE收缩的CTE收缩，因而允许制件放松了半导体缓冲结构。
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2013-05-23 12:26:38
紧张的过渡层减少了工件弓由于微分系数的 CTE 收缩的基板，因而允许工件已放宽半导体缓冲区结构与轻松的缓冲层的热膨胀系数 (CTE) 收缩的量。
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2013-05-23 12:28:18
紧张的过渡层,可以减小工件的碟形滤片量到差速器是由于热膨胀系数收缩][贸易与环境委员会放松缓冲层相对萎缩,贸易与环境委员会的承印物,从而使工件,放松了半导体缓冲区结构。
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