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2013-05-23 12:21
求翻译：The method allows the production of a structure incorporating a thin film of InP with Fe diffusion, a layer of amorphous glue (SiO2, Si3N4) and a support, of for example monocrystalline silicon, by a method of carrying over a thin film, without disruption by the iron. The method is applicable for an industrial scale an是什么意思？ 待解决
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The method allows the production of a structure incorporating a thin film of InP with Fe diffusion, a layer of amorphous glue (SiO2, Si3N4) and a support, of for example monocrystalline silicon, by a method of carrying over a thin film, without disruption by the iron. The method is applicable for an industrial scale an
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法允许生产的结构的结合INP与铁的扩散，一层无定形胶（二氧化硅，氮化硅）和载体，例如单晶硅的薄膜，通过进行以上的薄膜的方法，而无需中断由铁。该方法适用于工业规模，并且可以在很短的时间内进行。该方法也给出了伪衬底的柔性字符相对于外延。在运输过程中，操纵以及元器件和电路的制造损失减小
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2013-05-23 12:23:18
方法允许合并InP的薄膜有Fe扩散、层数无定形的胶浆(SiO2， Si3N4)和支持的结构的生产，例如单晶质的硅，用把薄膜转入方法，不用中断由铁。方法为一个工业规模是可适用的，并且可以被执行在非常短时间期间。方法也给假基体一个服从的字符关于外延。
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2013-05-23 12:24:58
方法允许合并薄膜InP的结构的生产以Fe扩散，无定形的胶浆SiO2， Si3N4 (和支持) 层数，例如单晶质的硅，由方法把薄膜转入，不用中断由铁。 方法为工业等级是可适用的，并且可以被执行在一个非常短期期间。 方法也给冒充基体一个服从的字符关于外延。 在运输、操作和生产组分和电路期间减少损失
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2013-05-23 12:26:38
该方法允许将一层薄膜的 InP Fe 扩散、 非晶胶 （SiO2，氮化硅陶瓷） 的图层和支持，例如单晶硅的纳入法结转薄膜，而无需中断由铁结构的生产。该方法适用于工业规模的并可以在很短的时间内进行。该方法也给伪衬底外延方面符合标准的字符。减少损失在运输、 操纵和组件和电路的制作过程，
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2013-05-23 12:28:18
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