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2013-05-23 12:21
求翻译：Creates oxidized surface region on SiGe layer by direct thermal oxidation without generating defects such as dislocations within the structure of the SiGe layer. Stabilizes and reinforces a bonding interface between the two layers of the substrate. Favors homogeneous distribution of Ge through the SiGe layer.是什么意思？ 待解决
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Creates oxidized surface region on SiGe layer by direct thermal oxidation without generating defects such as dislocations within the structure of the SiGe layer. Stabilizes and reinforces a bonding interface between the two layers of the substrate. Favors homogeneous distribution of Ge through the SiGe layer.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
而不会产生如在SiGe层的结构中的位错缺陷的产生上的SiGe层通过直接热氧化氧化的表面区域。稳定和加强基体的两层之间的键合界面。通过SiGe层有利于GE的均匀分布。
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
由直接热量氧化作用在SiGe层数在SiGe层数的结构之内创造被氧化的表面区域，无需引起瑕疵例如脱臼。 稳定并且加强基体的二层数的之间接合接口。 通过SiGe层数倾向Ge的同类的发行。
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2013-05-23 12:26:38
氧化表面通过创建区域硅锗层上直接热氧化而不生成内的硅锗层结构混乱等缺陷。稳定和加强了的基体的两层之间的粘结界面。偏爱 Ge 通过硅锗层的均匀分布。
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2013-05-23 12:28:18
表面区域创建氧化硅锗层上直接通过热氧化而不产生缺陷,例如混乱的结构内的SiGe层。 稳定和加强了之间的绑定接口的两个图层的基材。 赞成统一分发的GE的SiGe层通过。
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