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2013-05-23 12:21
求翻译：In semiconductor power devices of quasi-vertical structure formed on a composite substrate; in the manufacture of electronic devices of type Schottky diode, PIN diode, MOS power transistor, JFET and MESFET, with vertical passage of current.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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In semiconductor power devices of quasi-vertical structure formed on a composite substrate; in the manufacture of electronic devices of type Schottky diode, PIN diode, MOS power transistor, JFET and MESFET, with vertical passage of current.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在准垂直结构形成的复合衬底上的半导体功率器件，在型肖特基二极管，PIN二极管，MOS功率晶体管，JFET和MESFET，与电流的垂直通道的电子器件的制造。
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2013-05-23 12:23:18
在半导体类似垂直的结构功率设备在一个综合基体形成了;在类型肖特基二极管电子设备制造、PIN二极管，金属氧化物电源晶体管、JFET和MESFET，与潮流垂直的段落。
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2013-05-23 12:24:58
在半导体在一个综合基体形成的类似垂直的结构功率设备; 在类型肖特基二极管电子设备制造、PIN二极管，金属氧化物电源晶体管、JFET和MESFET，与潮流垂直的段落。
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2013-05-23 12:26:38
在半导体功率器件的准垂直结构形成复合衬底 ；在与垂直通道的电流的电子装置的类型肖特基二极管、 PIN 二极管、 MOS 功率晶体管，JFET 和与器件、 制造。
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2013-05-23 12:28:18
在半导体功率器件的准垂直结构上形成一个复合基材;在制造电子设备的类型肖特基二极管、PIN二极管,MOS功率晶体管,JFET和mesfet,垂直通道电流。
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