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2013-05-23 12:21
求翻译：The method permits to reduce energy budget for breaking of the source substrate and for transferring the thin film after the implantation of the ions. The method utilizes annealing temperature for reduced breaking of source substrate and materials with different thermal dilatation coefficients, so as to transfer the th是什么意思？ 待解决
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The method permits to reduce energy budget for breaking of the source substrate and for transferring the thin film after the implantation of the ions. The method utilizes annealing temperature for reduced breaking of source substrate and materials with different thermal dilatation coefficients, so as to transfer the th
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法允许减少能量预算为打破源基板和对离子注入后的转印薄膜。该方法利用退火温度为源基板和材料具有不同的热膨胀系数减小的断裂，从而薄层转移的支撑衬底上，不分层的在键合界面的危险。
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2013-05-23 12:23:18
方法允许减少能量估算的打破来源基体和的转移薄膜在离子的安放以后。方法为减少的打破来源基体和材料运用焖火温度用不同的热量膨胀系数，以便转移薄层在支持基体，不用分层法的风险在接合接口。
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2013-05-23 12:24:58
方法许可证减少能量估算为打破来源基体和为转移薄膜在离子的安放以后。 方法为减少的打破用不同的热量膨胀系数的来源基体和材料在支持基体运用焖火温度，以便转移薄层，不用分层法的风险在接合接口。
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2013-05-23 12:26:38
该方法允许减少能源预算源基底断裂和转移薄膜的离子植入术。该方法利用减少断源基板和具有不同热扩张系数，在支持基体，而无风险的分层在接合界面上转移的薄层材料的退火温度。
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2013-05-23 12:28:18
许可证的方法以减少的能源预算的来源的纸张和薄膜转移后的离子植入的。 该方法利用退火温度,从而减少犯法的基材和材料来源的不同热扩容系数,以转让的薄薄的一层基材的支持,没有一个风险的剥离,一个绑定接口。
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