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2013-05-23 12:21
求翻译:The method is useful for manufacturing, by metal organic vapor phase epitaxy, a gallium nitride self-supporting monocrystalline layer of a structure, which is useful in an electronic, optoelectronic or micromechanical device including a Schottky diode (all claimed), a LED, a laser diode, a heterostructure FET and a hig是什么意思? 待解决
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The method is useful for manufacturing, by metal organic vapor phase epitaxy, a gallium nitride self-supporting monocrystalline layer of a structure, which is useful in an electronic, optoelectronic or micromechanical device including a Schottky diode (all claimed), a LED, a laser diode, a heterostructure FET and a hig
问题补充: |
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2013-05-23 12:21:38
该方法是用于制造有用的,通过金属有机汽相外延,一个结构,这是在电子,光电子或微机械装置包括一个肖特基二极管(全部权利),一个LED,有用的氮化镓自支撑单晶硅层的激光二极管,异质结场效应晶体管和高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:23:18
方法为制造,由金属有机物蒸气阶段外延,结构的镓氮化物自承单晶质的层数是有用的,是有用的在一个电子,光电子或者式微机械设备包括肖特基二极管(所有被要求), LED、激光二极管、异质结构FET和一支高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:24:58
方法为制造业,由金属有机物蒸气阶段外延,结构的镓氮化物自承单晶质的层数是有用的,是有用的在一个电子,光电子或者micromechanical设备包括所有被要求的 (肖特基二极管), LED, laser二极管、异质结构FET和一支高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:26:38
该方法可用于制造、 金属有机汽相外延,由镓氮化自承单晶硅层的结构,这是很有用电子、 光电或微机械设备包括一个肖特基二极管 (所有声称)、 LED、 激光二极管、 场效应管异质结高电子迁移率晶体管。
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2013-05-23 12:28:18
这种方法有助于制造、金属有机气相固溶体,砷化镓氮化物自助单晶层的结构,这将有助于一个电子、光电或micromechanical设备包括一个肖特基二极管[所有索赔],一个LED,一个激光二极管、一个FET和级异质结构构成一个高电子移动性晶体管。
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