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2013-05-23 12:21
求翻译：Method for fabricating a semiconductor on insulator structure (claimed) i.e. ultra thin buried oxide type semiconductor on insulator structure for storing charge information, of a non-volatile memory e.g. double gate flash memory, and a stand-by portable device.是什么意思？ 待解决
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Method for fabricating a semiconductor on insulator structure (claimed) i.e. ultra thin buried oxide type semiconductor on insulator structure for storing charge information, of a non-volatile memory e.g. double gate flash memory, and a stand-by portable device.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的制造方法，一种非易失性存储器，例如一个绝缘体上半导体结构（权利）即超薄埋入氧化物型绝缘体上半导体结构，用于存储计费信息，双栅极快闪存储器，和一个备用的便携式设备。
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2013-05-23 12:23:18
制造的一个半导体方法在绝缘体结构的绝缘体结构(被要求)即即超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体存储的充电信息，一个固定存储器双门闪存和一套候补携带式装置。
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2013-05-23 12:24:58
方法为在被要求的绝缘体结构制造一个 (半导体) 即。 超稀薄的被埋没的氧化物类型半导体在绝缘体结构为存储充电信息，一个固定存储器即。 双重门闪存和一套候补携带式装置。
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2013-05-23 12:26:38
方法制作绝缘体上的半导体结构 （索赔） 即超瘦埋的氧化物类型半导体绝缘子结构来存储电荷的信息、 非易失性内存的如双门快闪记忆体和立场的便携式设备。
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2013-05-23 12:28:18
其制造方法一种半导体的绝缘结构[要求]即超薄葬类型半导体氧化物的绝缘结构,用于存储收费信息,一个非易失性内存如双门闪存和一个独立的便携式设备。
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