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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:Thermally-grown oxides on SiC have been considered to induce significant amount of interface defects是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
Thermally-grown oxides on SiC have been considered to induce significant amount of interface defects
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
对SiC热生长氧化物已被认为是诱发显著量界面缺陷的
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
在SiC的热量增长的氧化物被考虑导致相当数量接口瑕疵
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
热量增长的氧化物在SiC被考虑导致相当数量接口瑕疵
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
曾被考虑热生长氧化物的 SiC 诱发大量的界面缺陷
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
SiC 上的 Thermally 生长氧化物被认为促使界面的重要数量变节
 
 
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