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2013-05-23 12:21
求翻译：On a PR-coated Si substrate, large-area and uniformly aligned ZnO nanowire arrays were fabricated by a normal CVD method (Figure 1a,b). To fabricate patterned ZnO nanowires, we first prepared various sizes (from several hundreds of nanometers to several micrometers) and shapes (dot arrays, lines, and networks) of PR pat是什么意思？ 待解决
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On a PR-coated Si substrate, large-area and uniformly aligned ZnO nanowire arrays were fabricated by a normal CVD method (Figure 1a,b). To fabricate patterned ZnO nanowires, we first prepared various sizes (from several hundreds of nanometers to several micrometers) and shapes (dot arrays, lines, and networks) of PR pat
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在PR涂覆的硅衬底，大面积且均匀排列的ZnO纳米线阵列由一个正常的CVD法制造的（图1a ， b）中。
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2013-05-23 12:23:18
在一个PR上漆的Si基体，大区域和一致地被排列的ZnO nanowire列阵用一个正常CVD方法(图1a， b)制造。
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2013-05-23 12:24:58
在一个PR上漆的Si基体，大区域和一致地被排列的ZnO nanowire列阵由一个正常CVD方法形象 (1a， b制造)。 要制造在各种各样的基体仿造了PR样式ZnO nanowires，我们 (first准备的各种各样的大小从几数百) 毫微米 (到几个测微表和形状小点列阵) ，线和网络由石版影印 (形象1c)，并且，在真空之下，这些样式然后锻炼了，并且转换成作为站点为ZnO nanowires有选择性的成长的碳质的结构 (图1d)
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2013-05-23 12:26:38
PR 涂层 Si 衬底上上, （图 1a、 b） 正常 CVD 法制备了面积大、 均匀对齐 ZnO 纳米线阵列。制作图案的氧化锌纳米线，我们第一批编写各种 （从几百个纳米到几个微米） 的尺寸和形状 （点阵、 线条和网络） 的公关模式的各种基底的光刻技术 （图 1） c），然后，在真空条件下这些模式了退火转换为充当为选择性生长的氧化锌纳米线 （图 1 d） 网站的碳素结构
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2013-05-23 12:28:18
在一 PR 涂上一层的 Si substrate，大地区和一贯地被对齐的 ZnO 毫微电线排列被一种正常的 CVD 方法制作 ( 数字 1a， b )。制作磨制 ZnO 毫微电线，我们？rst 准备各种大小 ( 从一些数百毫微米到若干微米 ) 和形成 ( 点排列，线，网络 ) 由影印石版术所作的各种 substrates 上的 PR 模式中 ( 数字 1c)，以及，在真空下，这些模式然后被磨练和转换到为 ZnO 的选择性的成长作为地点的含碳的结构毫微电线 ( 数字 1d)
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