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2013-05-23 12:21
求翻译：In a CMP process, 4H-SiC was polished by concentrated colloidal silica slurry in alkaline solution. The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In recent years, some other flattening techniques, such as catalyst-referred etching (CARE), electrical-CMP and photochemical polishin是什么意思？ 待解决
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In a CMP process, 4H-SiC was polished by concentrated colloidal silica slurry in alkaline solution. The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In recent years, some other flattening techniques, such as catalyst-referred etching (CARE), electrical-CMP and photochemical polishin
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在CMP过程中， 4H -SiC的抛光通过在碱性溶液中浓缩胶体二氧化硅浆料。
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2013-05-23 12:23:18
在CMP过程中， 4H Sic由在碱性解答的被集中的胶质硅土泥浆擦亮。CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的蚀刻(关心)，电子CMP和光化学擦亮开发中提议并且是[2， 3]。
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2013-05-23 12:24:58
在CMP过程， 4H-SiC由被集中的胶质硅土泥浆在碱性解答擦亮。 CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。 近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的铭刻的 (关心)，电子CMP和光化学擦亮提议并且在发展 (2， 3中)。
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2013-05-23 12:26:38
在 CMP 过程中，4 H-碳化硅被抛光集中胶体硅料浆法在碱性溶液中。CMP 的拼合能力是可以接受并引入少亚表面损伤。近年来，一些其他拼合技术，如催化剂称为蚀刻 （保健） 电气 CMP 和光化学抛光提出了并正在发展 [2，3]。
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2013-05-23 12:28:18
在一个 CMP 过程中， 4H 电容率通过碱性的解答被集中的胶状的硅石 slurry 擦亮。CMP 的变单调能力是可接受和较不子表面的损害被介绍。在近几年，一些其他变单调技术，例如催化剂参考的铜版画 ( 操心 )，电-CMP 和光化学擦亮被提议和在发展下 (2， 3)。
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