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2013-05-23 12:21
求翻译：In this work, polishing using CeO2 slurry was conducted on a SiC-Si face which was irradiated by water vapor plasma. The change of surface morphology was observed using an AFM. To confirm the possibility of atomic-scale flattening of SiC-C faces, CeO2 slurry polishing of a thermally oxidized SiC-C face was also conduct是什么意思？ 待解决
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In this work, polishing using CeO2 slurry was conducted on a SiC-Si face which was irradiated by water vapor plasma. The change of surface morphology was observed using an AFM. To confirm the possibility of atomic-scale flattening of SiC-C faces, CeO2 slurry polishing of a thermally oxidized SiC-C face was also conduct
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在这项工作中，抛光用氧化铈浆料上的SiC - Si面而照射由水蒸气等离子体进行的。
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2013-05-23 12:23:18
在这工作，擦亮使用CeO2泥浆在水蒸气等离子照耀的SiC Si面孔被举办了。使用AFM，表面形态学的变动被观察了。要证实原子标度铺平的可能性SicC面孔， CeO2泥浆擦亮一张热量地被氧化的SicC面孔也被举办。
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2013-05-23 12:24:58
在这工作，擦亮使用CeO2泥浆在由水蒸气血浆照耀的SiCSi面孔被举办了。 表面形态学的变动使用AFM被观察了。 要证实可能性原子称铺平SiC-C面孔， CeO2一张热量地被氧化的SiC-C面孔的泥浆擦亮也被举办了。
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2013-05-23 12:26:38
在这项工作，抛光使用 CeO2 浆进行了辐照水蒸气等离子 SiC 寺脸上。使用原子力显微镜观察表面形貌变化。若要确认原子尺度拼合的 SiC C 面孔的可能性，CeO2 浆抛光的热氧化的 SiC C 面也进行。
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2013-05-23 12:28:18
在这份工作中，使用 CeO2 slurry 擦亮在被水蒸汽血浆照射的一张电容率-Si 的脸上被召开。表面的构词学的变化使用一 AFM 观察。确认 SiC-C 的变单调的原子规模的可能性面对，一张热地氧化的 SiC-C 脸的擦亮的 CeO2 slurry 也被召开。
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