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2013-05-23 12:21
求翻译：In our case the lower deposition rate in the case of HiPIMS compared to dcMS can be explained that includes self sputtering and more probably, the re-deposition of Al on the target because of the high degree of Al ionisation in the glow discharge dark region .是什么意思？ 待解决
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- 离问题结束还有
In our case the lower deposition rate in the case of HiPIMS compared to dcMS can be explained that includes self sputtering and more probably, the re-deposition of Al on the target because of the high degree of Al ionisation in the glow discharge dark region .
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在我们的情况下，在HIPIMS的情况下，较低的沉积速率相比的DCMs可被解释，包括自溅射，更可能是，铝的重新沉积，因为在预热的高度的Al电离对目标放电暗区域。
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2013-05-23 12:23:18
由于高度Al电离在HiPIMS情况下的更低的沉积率与包括大概飞溅的自已和的dcMS比较的我们的情况在辉光放电的黑暗的区域，可以解释， Al的再沉淀在目标的。
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2013-05-23 12:24:58
由于高度Al电离在我们的情况更低的沉积率在HiPIMS情况下与包括自已大概飞溅和的dcMS比较在目标在辉光放电的黑暗的区域，可以解释， Al的再沉淀。
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2013-05-23 12:26:38
在我们的案例可以解释在 HiPIMS 相比 dcMS 沉积率较低，其中包括自我溅射和更可能的是，铝铝电离发光中高度目标上的再沉积放电暗区。
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2013-05-23 12:28:18
在我们的案例中在 HiPIMS 的情况下的更低的沉积物费率与 dcMS 相比可以被解释那包括喷溅的自己和更多也许，有关目标的 Al 的重新沉积物因为在光辉释放黑暗地区的 Al 电离的高度。
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