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2013-05-23 12:21
求翻译：对于传统Si-IGBT模块，通常已指定了tSC（max）=10μs的短路能力。在这种传统IGBT驱动器中，消隐时间去饱和检测和SC -通常到 = 1 3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。是什么意思？ 待解决
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对于传统Si-IGBT模块，通常已指定了tSC（max）=10μs的短路能力。在这种传统IGBT驱动器中，消隐时间去饱和检测和SC -通常到 = 1
3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
对于传统Si-IGBT模块，通常已指定了tSC（max）=10μs的短路能力。在这种传统IGBT驱动器中，消隐时间去饱和检测和SC
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2013-05-23 12:23:18
对于传统SiIGBT模块，通常已指定了tSC (最大) =10μs的短路能力。在这种传统IGBT驱动器中，消隐时间去饱和检测和SC -通常到= 1
3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
对于传统Si IGBT模块、 通常已指定了tSC (max) = 10μs的短路能力。在这种传统IGBT驱动器中，消隐时间去饱和检测和SC 通常到 = 1 3Μ的关断之间安装，这足以保证:没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
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2013-05-23 12:28:18
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