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2013-05-23 12:21
求翻译：The Si face of a 4H-SiC substrate was irradiated by atmospheric-pressure water vapor plasma for 10 min.After plasma irradiation, an oxide layer was generated as previously reported [5]. Also, it was found that the composition of the oxide layer included silicon oxide(SiO2) as well as a transition layer: silicon oxycarb是什么意思？ 待解决
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The Si face of a 4H-SiC substrate was irradiated by atmospheric-pressure water vapor plasma for 10 min.After plasma irradiation, an oxide layer was generated as previously reported [5]. Also, it was found that the composition of the oxide layer included silicon oxide(SiO2) as well as a transition layer: silicon oxycarb
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的Si面一4H -SiC衬底的照射通过常压水蒸气等离子体10 min.After等离子体照射，产生的氧化物层如先前报道[5]。
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2013-05-23 12:23:18
4H Sic基体的Si面孔由大气压力10分钟的水蒸气等离子照耀。在等离子辐照区域以后，氧化物层数引起了如以前报告[5]。并且，发现氧化物层数的构成包括氧化硅(SiO2)以及一块转变层：硅oxycarbide (SiC O)，位于SiO2和SiC之间的接口。
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2013-05-23 12:24:58
4H-SiC基体的Si面孔由大气压力水蒸气血浆照耀10分钟。在血浆辐照区域以后，氧化物层数引起了作为早先报告的 (5)。 并且，它被发现氧化物层数的构成包括氧化硅(SiO2) 并且转变层： 硅oxycarbide( SiC O)，位于SiO2和SiC之间的接口。 它实验性地证明，虽然硅oxycarbide不可能被浸洗去除在HF解答，它可能被擦亮去除使用某软的研磨剂例如铈氧化物 (CeO2) (5)。
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2013-05-23 12:26:38
4 H-碳化硅衬底的 Si 脸被辐照大气压力水蒸气等离子为 10 分钟。在等离子体辐照后氧化层生成作为先前报告 [5]。此外，它被发现的氧化层的组成包括硅 oxide(SiO2)），可作为过渡层： 硅 oxycarbide(Si-C-O)，位于当时 SiO2 和碳化硅之间的接口。实验证明虽然硅正不能删除由 HF 溶液中浸洗，它可以通过一些软磨料氧化铈 (CeO2) 等都可用于抛光删除 [5]。
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2013-05-23 12:28:18
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