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2013-05-23 12:21
求翻译：Even after the oxide layers were removed by dipping in HF solution or polishing using soft abrasives, these pits could not be completely removed. It means that these pits penetrate into the bulk SiC. Plasma-oxidation was conducted under atmospheric-pressure and the temperature of the substrate during oxidation was meas是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Even after the oxide layers were removed by dipping in HF solution or polishing using soft abrasives, these pits could not be completely removed. It means that these pits penetrate into the bulk SiC. Plasma-oxidation was conducted under atmospheric-pressure and the temperature of the substrate during oxidation was meas
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
被浸入HF溶液，或使用软磨料抛光除去氧化物层，即使后，这些凹坑不可能完全除去。
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2013-05-23 12:23:18
在氧化物层数被浸洗在HF解答或擦亮去除以后使用软的研磨剂，不可能完全地去除这些坑。意味着这些坑击穿入大块SiC。等离子氧化作用被举办了在大气压力下，并且基体的温度在氧化作用时少于100极低比较那热量氧化作用的°C被测量是。
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2013-05-23 12:24:58
在氧化物层数被浸洗在HF解答或擦亮去除以后使用软的研磨剂，不可能完全地去除这些坑。 它意味着这些坑击穿入大块SiC。 血浆氧化作用被举办了在大气压力下，并且基体的温度在氧化作用期间少于100是极端低的比较那热量氧化作用的°C被测量是。 它被考虑高基体温度是主要原因为什么许多坑在热量氧化作用引起了，当仅少数在血浆氧化作用时引起了。
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2013-05-23 12:26:38
甚至在氧化层由 HF 溶液中浸渍或抛光使用软磨料磨具拆除后，这些坑不能完全删除。这意味着这些坑渗入散装碳化硅。在大气压力下进行了等离子体氧化和氧化过程中基体温度测量要小于 100 ° C 的极低相比，热氧化。认为高衬底温度是虽然只有少数中等离子体氧化生成了许多坑为什么热氧化过程中产生的主要原因。
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2013-05-23 12:28:18
甚至在氧化物以后分层在 HF 解答中被下降撤销或使用软的磨料擦亮，这些坑不能够完全被撤销。表示这些坑到容积的 SiC 中弥漫。血浆氧化在大气压力下被进行和在氧化期间的 substrate 的温度被测量是少于 100 非常低被与热氧化比较的° C。高 substrate 温度是很多坑在热氧化方面被生成的主要理由被考虑当仅没几个在血浆氧化方面被生成。
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