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2013-05-23 12:21
求翻译：In fact, CeO2 abrasives have been proved very useful for flattening of Si faces and C faces of 4H-SiC even without preliminary oxidation processes.It was assumed that chemical reactions happened between CeO2 abrasives and SiC which realized the surface flattening of SiC substrates. This assumption will be confirmed in 是什么意思？ 待解决
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In fact, CeO2 abrasives have been proved very useful for flattening of Si faces and C faces of 4H-SiC even without preliminary oxidation processes.It was assumed that chemical reactions happened between CeO2 abrasives and SiC which realized the surface flattening of SiC substrates. This assumption will be confirmed in
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
事实上，氧化铈磨料已被证明为平坦的Si非常有用面和4H - SiC构成，即使没有初步氧化processes.It假定氧化铈研磨剂以及SiC其中实现SiC衬底的表面平坦化之间的化学反应发生Ç面。
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2013-05-23 12:23:18
实际上，甚而没有初步氧化作用过程， CeO2研磨剂铺平的是被证明的非常有用的Si面孔和4H Sic的C面孔。假设，化学反应发生了在CeO2体会表面铺平SiC基体的研磨剂和SiC之间。这个假定在我们的未来研究将被证实。
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2013-05-23 12:24:58
实际上， CeO2研磨剂为铺平是被证明的非常有用的Si面孔和4H-SiC的C面孔甚而没有初步氧化作用过程。它假设，化学反应发生了在CeO2体会表面铺平SiC基体的研磨剂和SiC之间。 这个假定在我们的未来研究将被证实。
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2013-05-23 12:26:38
事实上，CeO2 磨料磨具已被证明是非常有益的拼合寺的面孔和 C 面 4 H-碳化硅，即使没有预氧化过程的。人们以为 CeO2 磨料磨具与实现表面平坦的碳化硅衬底的碳化硅之间发生的化学反应。这种假设会在我们未来的研究证实。
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2013-05-23 12:28:18
实际上， CeO2 磨料被证明了很有益于 Si 的变单调面对和 C 面对 4H 电容率中甚至没有初步氧化地 processes.It 被任职那化学反应在 CeO2 磨料和 SiC 之间发生那意识到 SiC substrates 的变单调的表面。这个假设将在我们的将来调查中被确认。
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