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2013-05-23 12:21
求翻译：In our previous research, combination of thermal oxidation and abrasive polishing of SiC-Si faces was also conducted [7]. Although the step-terrace structure of SiC could also be generated, the existence of pits greatly deteriorated the surface integrity. Also, the initial oxidation rates of thermal-oxidation and plasm是什么意思？ 待解决
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In our previous research, combination of thermal oxidation and abrasive polishing of SiC-Si faces was also conducted [7]. Although the step-terrace structure of SiC could also be generated, the existence of pits greatly deteriorated the surface integrity. Also, the initial oxidation rates of thermal-oxidation and plasm
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在我们以前的研究中，热氧化和碳化硅硅面磨料研磨的组合物也进行了[7] 。
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2013-05-23 12:23:18
在我们的早先研究，热量氧化作用和磨蚀擦亮的组合SiC Si面孔也被举办了[7]。虽然SiC步大阳台结构可能也引起，坑的存在很大地恶化了表面正直。并且，热量氧化作用的最初的氧化作用率和等离子氧化作用被测量了;发现等离子氧化作用的最初的氧化作用率高于那是6次热量氧化作用。
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2013-05-23 12:24:58
在我们的早先研究，热量氧化作用和磨蚀擦亮的组合SiCSi面孔也被举办了 (7)。 虽然SiC步大阳台结构可能也引起，坑的存在很大地恶化了表面正直。 并且，热量氧化作用的最初的氧化作用率和血浆氧化作用被测量了; 它被发现血浆氧化作用的最初的氧化作用率那是6次更加高于热量氧化作用。 什么是更多，血浆氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮得到的表面的质量好比商业使用的那是CMP。
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2013-05-23 12:26:38
在我们以前的研究中，结合热氧化和抛光磨具的 SiC 寺的面孔也是进行 [7]。虽然也可以生成碳化硅的步阶结构，坑的存在极大地恶化的表面完整性。同时，测定了热氧化和等离子体氧化的初始氧化率 ；它发现等离子体氧化的初始氧化率高于热氧化高出 6 倍。更重要的是，通过等离子体氧化和软磨料抛光表面质量比，CMP 是商业用好多了。
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2013-05-23 12:28:18
在我们的以前的调查，热氧化和电容率-Si 的擦亮的磨料的组合中面对也被召开 (7)。虽然 SiC 的继叠层式的结构可以也被生成，坑的存在大大地恶化表面的完整。另外，热氧化和血浆氧化的最初氧化比率被测量；被找到那血浆氧化的最初氧化比率是 6 倍比热氧化更高的。而且，被血浆氧化和软的磨料获取擦亮的表面的质量是比商业上被使用的 CMP 更好得多的。
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