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2013-05-23 12:21
求翻译：Although some polishing techniques are successfully applied to Si face of 4H-SiC, flattening of C face with an epi-ready level is seldom reported. The reason is that the chemical and mechanical properties of Si face and C face are different; therefore the ideal abrasives for flattening of Si faces may not be suitable f是什么意思？ 待解决
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Although some polishing techniques are successfully applied to Si face of 4H-SiC, flattening of C face with an epi-ready level is seldom reported. The reason is that the chemical and mechanical properties of Si face and C face are different; therefore the ideal abrasives for flattening of Si faces may not be suitable f
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
虽然有些抛光技术成功地应用到Si面的4H-SiC的，很少报道与外延准备水平不上不下C面的。
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2013-05-23 12:23:18
虽然一些擦亮的技术顺利地被运用于4H Sic的Si面孔，铺平与一个儿童计划免疫准备好水平的C面孔很少报告。原因是Si面孔和C面孔化工和机械性能是不同的;因此铺平的理想的研磨剂Si面孔可能不适用于铺平C面孔。
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2013-05-23 12:24:58
虽然一些擦亮的技术成功地被申请于4H-SiC的Si面孔，铺平C面孔与一个epi准备好水平很少报告。 The reason is that the chemical and mechanical properties of Si face and C face are different; therefore the ideal abrasives for flattening of Si faces may not be suitable for flattening of C faces. 正4H-SiC基体的Si面孔，我们认为C面孔可能通过表面氧化作用和磨蚀擦亮高效率地也铺平，因为C面孔是
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2013-05-23 12:26:38
虽然一些抛光技术成功地应用于寺脸的 4 H-碳化硅，平坦的 epi 准备水平的 C 面很少报道。原因是硅面和 C 面的化学和力学性质是不同的 ；因此理想的研磨剂的拼合的 Si 面孔未必适合拼合的 C 面。正如寺面对 4 H-碳化硅衬底，我们认为 C 面可以也被夷为平地有效表面氧化和研磨抛光因为 C 的面孔更容易被氧化。作为氧化的 C 面、 阳极氧化、 等离子体氧化和热氧化的方法正在审议。作为一个初步的研究，本文讨论了热氧化实际应用效果和抛光磨具的 SiC C 的面孔。
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2013-05-23 12:28:18
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