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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The presence of the cascode transistors in Fig. 8 increased thereverse isolation through the buffers from approximately 50–80dB. The change in was simulated and (4) was used to es-timate chirp as a function of buffer isolation. The worst case will be at low. To get close to 100–150-kHz VCO chirpat the worst ca是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
The presence of the cascode transistors in Fig. 8 increased thereverse isolation through the buffers from approximately 50–80dB. The change in was simulated and (4) was used to es-timate chirp as a function of buffer isolation. The worst case will be at low. To get close to 100–150-kHz VCO chirpat the worst ca
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
图1中的共源共栅晶体管的存在。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
在场的cascode晶体管的图。 8增加了处理隔离通过缓冲区从大约50-80dB。 在模拟和(4)被用于ES-timate啁啾声作为一个功能的缓冲区隔离。 最坏的情况下将会面临较低。 接近100-150KHz VCO chirpat最坏的情况下加载点,这种分析表明,80dB的隔离应sufcient
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
cascode晶体管的出现在。 8增加的thereverse 隔离通过缓冲从近似地50-80dB。 变动被模仿了作为 (缓冲) 隔离功能,并且4用于估计唧啾。 最坏在低落。 要得到紧挨100 150千赫VCO chirpat最坏的输入点,以这分析表示, 80隔离dB应该sufcient
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
在图 8 中的共源共栅晶体管增派往复隔离通过从大约 50-80 分贝的缓冲区。变化进行了数值模拟及 (4) 作为函数的缓冲区隔离习惯了 es 安顿啁啾。最坏的情况将在低。要得到接近 100-150 千赫 VCO chirpat 最坏的情况下,加载的点,这一分析显示,80 分贝的隔离是 sufcient
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
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