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2013-05-23 12:21
求翻译：在同步降压拓扑结构中，当硬开关转换器中高侧FET两端有最大电压时，高侧FET开启（图1）。在工作周期的导通部分开启期间，它导通其最大电流。因此，在关断过渡期间，高压侧开关中的功率损耗处于最大值。输入电压越大，功率损耗越高，所以在高电压比应用中的转换器（例如，24 V至3.3 V）往往可提供比要求较低转换率的电路中相同转换器较差的效率（例如，5 V至2.5 V）。是什么意思？ 待解决
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在同步降压拓扑结构中，当硬开关转换器中高侧FET两端有最大电压时，高侧FET开启（图1）。在工作周期的导通部分开启期间，它导通其最大电流。因此，在关断过渡期间，高压侧开关中的功率损耗处于最大值。输入电压越大，功率损耗越高，所以在高电压比应用中的转换器（例如，24 V至3.3 V）往往可提供比要求较低转换率的电路中相同转换器较差的效率（例如，5 V至2.5 V）。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在同步降压拓扑结构中，当硬开关转换器中高侧FET两端有最大电压时，高侧FET开启（图1）。在工作周期的导通部分开启期间，它导通其最大电流。因此，在关断过渡期间，高压侧开关中的功率损耗处于最大值。输入电压越大，功率损耗越高，所以在高电压比应用中的转换器（例如，24
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
在同步降压拓扑结构中，当硬开关转换器中高侧FET两端有最大电压时，高侧FET开启(图1)。在工作周期的导通部分开启期间，它导通其最大电流。因此，在关断过渡期间，高压侧开关中的功率损耗处于最大值。输入电压越大，功率损耗越高，所以在高电压比应用中的转换器(例如， 24 V至3.3 V)往往可提供比要求较低转换率的电路中相同转换器较差的效率(例如， 5 V至2.5 V)。
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2013-05-23 12:26:38
在同步降压拓扑结构中、 当硬开关转换器中高侧FET两端有最大电压时、 高侧FET开启 （图 1）。在工作周期的导通部分开启期间、 它导通其最大电流。因此，在关断过渡期间高压侧开关中的功率损耗处于最大值。输入电压越大，功率损耗越高，所以在高电压比应用中的转换器 （后点查询即可，24 V至3.3 V） 往往可提供比要求较低转换率的电路中相同转换器较差的效率 （后点查询即可，5 V至2.5 V）。
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2013-05-23 12:28:18
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