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2013-05-23 12:21
求翻译：To evaluate the new third generation 碳化硅 MOSFET additional modules have been ordered, including the S4007* MOSFET (650 V, 80 欧姆, 3. Generation MOSFET). The new Trench 器件 features a double Trench Gate structure which reduces the specific RDS,ON per area by 50% compared to the second generation. For the third generation 是什么意思？ 待解决
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To evaluate the new third generation 碳化硅 MOSFET additional modules have been ordered, including the S4007* MOSFET (650 V, 80 欧姆, 3. Generation MOSFET). The new Trench 器件 features a double Trench Gate structure which reduces the specific RDS,ON per area by 50% compared to the second generation. For the third generation
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
为了评估新的第三代碳化硅MOSFET附加模块已订购，其中包括S4007 * MOSFET（ 650 V ， 80欧姆， 3代MOSFET） 。
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2013-05-23 12:23:18
评估新的第三代碳化硅MOSFET附加模块已订购,包括s4007*MOSFET(650V、80欧姆,3。 新一代金属氧化物半导体场效应晶体管)。 戴麟趾爵士康乐的新功能器件的双沟门结构,减少了特定的RDS,每个区域的50%,相比第二代。 第三代的VF的体二极管的可能最大decreased和the VGS已从6V至10V,而阈值偏移一直保持稳定。
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2013-05-23 12:24:58
要评估新的第三代碳化硅MOSFET另外的模块被预定，包括S4007* MOSFET (650 V， 80欧姆， 3。 世代MOSFET)。 新的沟槽器件以减少具体RDS的一个双重沟槽门结构为特色，每个区域50%与第二代比较。 为第三代身体二极管的VF可能是最大值VGS从-6 V被增加了到-10 V的减少的和，当门限转移被保持稳定时。 S4007有仅50北卡罗来纳和总门充电输入电容577 pF。 这将导致一更高的效率在更小的芯片大小。
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2013-05-23 12:26:38
评估新的第三代碳化硅 MOSFET 的附加模块已被订购，包括 S4007 * MOSFET （650 V，80 欧姆，3。代 MOSFET）。新沟器件功能具体 RDS 面积, 减少 50%双述沟槽栅极结构相比，二代。为 VF 的体二极管可能是的 decreased和the 最大 VGS-V 6 增至同时门槛-V 10 第三代转变保持稳定。S4007 有总的栅极电荷仅 50 nC和an 输入电容的 577 pf。这将导致更高的效率，以较小的芯片尺寸。
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2013-05-23 12:28:18
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