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2013-05-23 12:21
求翻译：collector 射极 saturation voltage (VCEsat) shows a positive temperature coefficient for the 第五代 IGBT (P5). Moreover, the improved vertical device concept results in significantly reduced on-state voltage for a same on-state voltage for the same Chip size. This offers the opportunity to increase the current density in the是什么意思？ 待解决
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collector 射极 saturation voltage (VCEsat) shows a positive temperature coefficient for the 第五代 IGBT (P5). Moreover, the improved vertical device concept results in significantly reduced on-state voltage for a same on-state voltage for the same Chip size. This offers the opportunity to increase the current density in the
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
集电极射极饱和电压（ VCESAT ）示出正的温度系数为第五代IGBT （P5） 。
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2013-05-23 12:23:18
收集器射极饱和电压(vcesat)显示一个正温度系数的第五代IGBT(P5)。 此外,改进了对垂直设备概念显著缩短了的电压相同的电压为同一芯片大小。 这提供了机会,以增加电流密度在同一个模块占用的空间。
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2013-05-23 12:24:58
收藏家射极饱和电压 (VCEsat) 显示一个正面温度系数为第五代IGBT (P5)。 而且，被改进的垂直的设备概念导致显著减少的在状态电压为同样在状态电压为同一芯片大小。 这在同一个模块脚印提供机会增加电流密度。
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2013-05-23 12:26:38
收藏家射极饱和电压 （VCEsat） 显示第五代 IGBT (P5) 正温度系数。此外，改进的垂直装置概念导致显著降低为相同的通态电压为同样的芯片尺寸的通态电压。这提供了机会，以增大电流密度在同一模块足迹。
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2013-05-23 12:28:18
收藏家？?饱和电压 ( VCEsat ) 显示一个肯定的温度系数？??IGBT ( P5 ).此外，被改善的垂直设备概念为相同的芯片尺码为相同州的电压导致明显被减少的州的电压。这提供机会给增长在相同的模块足迹中的电流密度。
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