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2013-05-23 12:21
求翻译：与前代技术一样，集射极饱和电压（VCEsat）显示为第五代IGBT的正温度系数（P5）。此外，改进的垂直装置的概念产生了显著降低通态电压为同一状态电压为相同的芯片尺寸。这增加了在同一模块的足迹的电流密度提供了机会。是什么意思？ 待解决
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与前代技术一样，集射极饱和电压（VCEsat）显示为第五代IGBT的正温度系数（P5）。此外，改进的垂直装置的概念产生了显著降低通态电压为同一状态电压为相同的芯片尺寸。这增加了在同一模块的足迹的电流密度提供了机会。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
与前代技术一样，集射极饱和电压（VCEsat）显示为第五代IGBT的正温度系数（P5）。此外，改进的垂直装置的概念产生了显著降低通态电压为同一状态电压为相同的芯片尺寸。这增加了在同一模块的足迹的电流密度提供了机会。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
与前代技术一样，集射极饱和电压(VCEsat)显示为第五代IGBT的正温度系数(P5)。此外，改进的垂直装置的概念产生了显著降低通态电压为同一状态电压为相同的芯片尺寸。这增加了在同一模块的足迹的电流密度提供了机会。
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2013-05-23 12:26:38
与前代技术一样、 集射极饱和电压 (VCEsat) 显示为第五代IGBT的正温度系数 (P5)。此外改进的垂直装置的概念产生了显著降低通态电压为同一状态电压为相同的芯片尺寸。这增加了在同一模块的足迹的电流密度提供了机会。
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2013-05-23 12:28:18
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