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2013-05-23 12:21
求翻译：United Silicon Carbide supplies a SiC vertical trench normally-on JFET, which features the lowest specific on-resistance of any 1200V power device. This article sheds light on the short-circuit and avalanche behavior of the standalone JFET, and how it is altered in the cascode implementation.是什么意思？ 待解决
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United Silicon Carbide supplies a SiC vertical trench normally-on JFET, which features the lowest specific on-resistance of any 1200V power device. This article sheds light on the short-circuit and avalanche behavior of the standalone JFET, and how it is altered in the cascode implementation.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
美国碳化硅供给的SiC垂直沟槽常通JFET ，其特点最低导通电阻的任何1200V功率器件。
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2013-05-23 12:23:18
联合国碳化硅SIC垂直的耗材一般戴麟趾爵士康乐的JFET,功能上的最低的抗任何1200V的电源设备。 这篇文章揭示了短路和雪崩的独立行为的JFET放大器,以及它是如何改变的cascode执行中。
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2013-05-23 12:24:58
团结的碳化硅供应一个SiC垂直的沟槽正常在JFET，以所有1200V功率设备为特色最低的具体在抵抗。 这篇文章显示清楚独立JFET的短路和雪崩行为，并且怎么它在cascode实施被修改。
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2013-05-23 12:26:38
曼联的碳化硅用品 SiC 垂直沟通常对 JFET，设有最低具体导通电阻的任何 1200V 功率器件。这篇文章揭示了 JFET，独立的短路和雪崩行为和它如何修改共源共栅执行。
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2013-05-23 12:28:18
接碳化硅提供一 SiC 垂直堑壕通常的 JFET，特别推出任何 1200V 力量设备的最低特定接通电阻。这篇文章清楚显示使短路和雪崩独立 JFET 的行为，怎样它在 cascode 执行中被更改。
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