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2013-05-23 12:21
求翻译：The cross-section of the 7th generation IGBT is shown in figure 1. In the surface of the 7th generation IGBT chip, basically a trenchgate structure was applied similar to the 6th generation IGBT. On the backside of the chip a Field-Stop (FS) layer was adopted on a thin FS-IGBT wafer. The drift layer thickness of the 7t是什么意思？ 待解决
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The cross-section of the 7th generation IGBT is shown in figure 1. In the surface of the 7th generation IGBT chip, basically a trenchgate structure was applied similar to the 6th generation IGBT. On the backside of the chip a Field-Stop (FS) layer was adopted on a thin FS-IGBT wafer. The drift layer thickness of the 7t
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
第7代IGBT的横截面示于图1中的第7代IGBT芯片的表面上，基本上是一个trenchgate结构施加类似于第6代IGBT 。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
第7个世代IGBT的横断面在表1显示。 在第7块世代IGBT芯片的表面，基本上trenchgate结构于第6个世代IGBT是应用相似的。 在芯片的后侧方领域停止 (FS) 层数被采取了在一个稀薄的FS-IGBT薄酥饼。 应用一个更加稀薄的薄酥饼减少第7个世代IGBT的漂泊层数厚度与第6个世代比较。 因而在状态电压下落和岔开的损失之间的交易关系被表面结构的优化进一步改进。
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2013-05-23 12:26:38
第 7 代 IGBT 如图 1 所示的截面。在 7 日的一代 IGBT 芯片表面，基本上 trenchgate 采用结构相似，第六代 IGBT。背面的芯片领域停止 （FS） 层通过 FS IGBT 薄片。IGBT，减幅为薄的硅片比较适用，第六代 7 代漂移层的厚度。通态电压之间的权衡关系因此下降和断损耗了进一步的改进的表面结构的优化。
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2013-05-23 12:28:18
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