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2013-05-23 12:21
求翻译：In summary, a 55V, 0.55mΩ.cm2 high-side capable RESURF LDMOS has been successfully implemented in Motorola’s 0.35 μm Smart Power Technology by carefully arranging the lateral doping profile. This device has excellent SOA and its characteristics is relatively insensitive to process variations. By shorting the N-buried l是什么意思？ 待解决
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In summary, a 55V, 0.55mΩ.cm2 high-side capable RESURF LDMOS has been successfully implemented in Motorola’s 0.35 μm Smart Power Technology by carefully arranging the lateral doping profile. This device has excellent SOA and its characteristics is relatively insensitive to process variations. By shorting the N-buried l
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
总之， 55V ， 0.55mΩ.cm2高端能力RESURF LDMOS已经成功通过精心安排的横向掺杂分布实施摩托罗拉的0.35微米智能电源技术。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
总之， 55V， 0.55mΩ.cm2高边可胜任的RESURF LDMOS在Motorola的0.35 μm聪明的力量技术成功地被实施了通过仔细安排侧向掺杂的外形。 这个设备有优秀SOA，并且它的特征是相对地厚脸皮的到处理变异。 通过短缺N被埋没的层数对基体和简单的布局修改为这个设备，被隔绝的LDMOS体会。 它被找到，然而，拳打通过电压是低的，如果没有介绍额外掩没的步。 通过增加一个额外面具，它实验性地核实高压被隔绝的设备是可行的在稀薄的epi过程中
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2013-05-23 12:26:38
总之，55V，0.55mΩ.cm2 高边能高压 LDMOS 成功在得到了摩托罗拉的 0.35 μ m 智能功率技术由精心安排的横向掺杂配置文件。该装置具有良好的 SOA 和它的特点是处理变化相对不太敏感。通过做空 N 埋层到衬底和简单的布局修改此设备，实现了孤立的 LDMOS。它发现，然而，冲床通过电压是低的如果没有额外的掩蔽步骤介绍了。通过添加额外的掩码，它是实验验证该高压隔离的装置是可行的薄外延工艺
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2013-05-23 12:28:18
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