求翻译：The breakdown voltage for a corresponding DMOS device without the extended gate was only about 60 V due to the non-optimized n well doping是什么意思？

待解决

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The breakdown voltage for a corresponding DMOS device without the extended gate was only about 60 V due to the non-optimized n well doping

问题补充：

匿名	2013-05-23 12:21:38 的击穿电压为一对应DMOS器件，而不扩展门只有大约60伏，由于非优化n阱掺杂

匿名	2013-05-23 12:23:18 击穿电压的的目的地管理组织的相应设备,而不需要扩展门只约60V由于非优化N和兴奋剂

匿名	2013-05-23 12:24:58 击穿电压为没有延长的门的一个对应的DMOS设备只是大约60 V由于非优化n好掺杂

匿名	2013-05-23 12:26:38 击穿电压的相应的目的地管理组织设备没有扩展的门只是约 60 V 由于好掺杂的非优化 n

匿名	2013-05-23 12:28:18 正在翻译，请等待...

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