|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Differences in lattice parameter and thermal expansion coefficient of AlGaN and GaN along with pronounced problem of p-type doping makes it difficult to demonstrate 280 nm LEDs.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Differences in lattice parameter and thermal expansion coefficient of AlGaN and GaN along with pronounced problem of p-type doping makes it difficult to demonstrate 280 nm LEDs.
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
在晶格参数和AlGaN和GaN沿与p型掺杂明显问题的热膨胀系数的差异使得难以证明280nm的发光二极管。
|
|
2013-05-23 12:23:18
不同的点阵参数和热膨胀系数的algan和乾和突出问题的P型兴奋剂,很难表现出280nm LED指示灯。
|
|
2013-05-23 12:24:58
在格子参量和AlGaN和GaN热扩散系数上的区别与掺杂牌子的p类型一起的发出音的问题它难展示280毫微米LEDs。
|
|
2013-05-23 12:26:38
甘和甘沿与晶格参数与热膨胀系数差异明显的 p 型掺杂的问题很难证明 280 nm 指示灯。
|
|
2013-05-23 12:28:18
在与 一起的 AlGaN 和 GaN 的格子架参数和热气流扩展系数中的区别宣布 p-type 的问题用药物刺激难以显示 280 nm LEDs。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
