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2013-05-23 12:21
求翻译：Figures 2 and 3 depict basic conventional and ZVS 降压 拓扑结构. Figures 4 and 5 show waveforms from steady-state simulations of those circuits with realistic values – for today’s 封装 and construction – applied in respect of MOSFET package parasitic inductances, and lumped parasitic inductance of the PCB traces. In both cases是什么意思？ 待解决
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Figures 2 and 3 depict basic conventional and ZVS 降压 拓扑结构. Figures 4 and 5 show waveforms from steady-state simulations of those circuits with realistic values – for today’s 封装 and construction – applied in respect of MOSFET package parasitic inductances, and lumped parasitic inductance of the PCB traces. In both cases
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
图2和3显示了基本常规和ZVS拓扑结构降压。 图4和5显示波形从稳定状态的模拟电路的实际值,今天的封装和结构-应用的MOSFET封装寄生电感值和混为一谈的寄生电感的PCB线迹。 在这两种情况下,这一步的,从36V到12V,8A;传统转换器输出的电感器2μH的一个切换频率650kHz。
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2013-05-23 12:24:58
图2和3描述基本的常规和ZVS降压拓扑结构。 图4和5展示信号波形从那些电路的稳定模仿以关于MOSFET包裹寄生感应性-为今天封装和建筑-被运用的现实价值和PCB踪影的被混在一起的寄生感应性。 在两种情况下，逐步减低是从36 V到12 V在8 A; 常规交换器有2 µH产品电感器为650千赫开关频率。 为ZVS降压电感器是230 nH为操作在1.3兆赫。
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2013-05-23 12:26:38
图 2 和图 3 描述了基本常规和零电压开关降压拓扑结构。图 4 和图 5 显示从那些与现实价值 — — 今天的封装和建设 — — 适用于 MOSFET 封装寄生电感的电路的稳定状态模拟波形和集中寄生电感的 PCB 的痕迹。在这两种情况下，降压是从 36 V 至 12 V 8 A;常规的转换器有 2 µ H 为 650 kHz 开关频率输出电感器。为 ZVS 降压电感器是 230 nH 1.3 mhz 操作。
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2013-05-23 12:28:18
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