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2013-05-23 12:21
求翻译：The new 器件 concept is based on thinning the P-type anode and P-base layers in the active area, while leaving their original thickness at junction termination（JT） in order to maintain the original 阻断 capability. The example for double-side negative bevel used in the 器件 under discussion is shown in 图 2.是什么意思？ 待解决
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The new 器件 concept is based on thinning the P-type anode and P-base layers in the active area, while leaving their original thickness at junction termination（JT） in order to maintain the original 阻断 capability. The example for double-side negative bevel used in the 器件 under discussion is shown in 图 2.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
null
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2013-05-23 12:23:18
新器件的概念是根据抽稀的P型阳极和P的基本图层的活动区域,而离开其原始厚度的交界处终止市JT之以保持原始阻断能力。 例如对于双侧负斜面使用的器件在讨论中所示图2。
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2013-05-23 12:24:58
新的器件概念根据变薄P类型阳极和P基地层数在活动区域，当留下他们原始的厚度在连接点终止(JT)时为了维护原始的阻断能力。 例子为用于器件的双重边消极斜面在讨论中在图2显示。
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2013-05-23 12:26:38
新器件概念基于细化的 P 型阳极和 P 基地层活动区，同时在交界处 termination(JT) 留他们原始的厚度，以保持原始的阻断能力。双侧负锥在器件正在讨论中使用的示例如图 2 所示。
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2013-05-23 12:28:18
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