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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:KPFM can investigate the effects of surface band structure on the charge state of semiconductor surfaces. For III–V semiconductors, the (110) orientation is a common surface for cleaved samples. The (110) surface of III–V semiconductors normally exhibits flat band conditions. The surface work functions should be simila是什么意思?

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KPFM can investigate the effects of surface band structure on the charge state of semiconductor surfaces. For III–V semiconductors, the (110) orientation is a common surface for cleaved samples. The (110) surface of III–V semiconductors normally exhibits flat band conditions. The surface work functions should be simila
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
KPFM可以探讨半导体表面的电荷态,表面能带结构的影响。 III - V族半导体(110)取向是一个切割样品的共同表面。 III - V族半导体(110)表面通常展品平带条件。面的工作职能应类似散装值[69]。然而,台阶边的陷阱或缺陷可以引进中旬,脚痛医脚的表面状态,从而影响表面费米能级。在CPD的变化反映了弯曲引起这些表面态带的方向和数量。 p型材料的功函数减少弯腰乐队,费米表面带隙的水平定位是一致的。 midgap n型材料,乐队弯曲位置在费米能级的带隙,从而增加了表面的功函数。 KPFM非常适合高空间分辨率的电子特性研究表面缺陷的影响。表面电子态的KPFM研究应用在大表面性质的影响,如激
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
kpfm可调查的影响的表面乐队的收费结构的国家半导体表面。 为第三至第五,半导体的(110)方向是一
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
 
 
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