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2013-05-23 12:21
求翻译：The SOA performance of the isolated LDMOS is inferior to that of the high-side LDMOS. The poor SOA of the isolated device is found to be limited by the presence of an additional parasitic npn transistor under drain. This parasitic npn transistor turns on at high drain voltage and current condition and leads to device f是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The SOA performance of the isolated LDMOS is inferior to that of the high-side LDMOS. The poor SOA of the isolated device is found to be limited by the presence of an additional parasitic npn transistor under drain. This parasitic npn transistor turns on at high drain voltage and current condition and leads to device f
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
分离的LDMOS的SOA性能劣于高侧LDMOS的。
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2013-05-23 12:23:18
《奥氏法案》的隔离性能的LDMOS低于高侧LDMOS。 穷人的服务导向型架构(SOA的隔离设备是有限的,存在更多寄生NPN晶体管在放油。 这种寄生NPN晶体管在高排放电压和电流条件下,导致设备出现故障。
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2013-05-23 12:24:58
被隔绝的LDMOS的SOA表现是下等对那高边LDMOS。 被隔绝的设备的恶劣的SOA被发现由一支另外的寄生npn晶体管的出现限制在流失之下。 这支寄生npn晶体管打开在高流失电压和当前情况并且导致设备失败。
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2013-05-23 12:26:38
孤立的 LDMOS 的 SOA 性能不如高边 LDMOS 的。孤立的设备差 SOA 被发现会受到额外的寄生 npn 型晶体管下排水, 的存在。这种寄生虫的 npn 晶体管高漏电压和电流的条件，并导致设备故障。
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2013-05-23 12:28:18
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